三社電機製作所は、1200V耐圧（電流容量150A）２素子入りSiC-MOSFETモジュールの量産を4月より開始する。
パワートランジスタなどのパワーデバイスは、車載や産業用分野において、さまざまな用途で使用されている。 SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）を超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途での省エネルギー化のキーデバイスとして注目されている。三社電機製作所のSiC-MOSFETモジュールは、独自のTechno Blockパッケージ技術(※1)により、長期信頼性の向上と低損失化、小型化を実現している。
なお、本製品はパナソニックとの共同開発により商品化されたもの。
【主な用途】
・産業用インバータ
・DC-DCコンバータ
・EV充電器
・高出力共振電源
【新製品の特長】
1．長期信頼性(※2)の向上と小型化を実現する、三社電機製作所独自のTechno Blockパッケージ技術
2．高速なスイッチングが可能な、インダクタンスを約1/2（同社従来比）に低減した内部構造
3．理想的なスイッチングを実現するために、不要なインダクタンスを低減できる回生ダイオード機能を内蔵した、パナソニック独自のSiC-MOSFETチップ（DioMOS(Diode integrated MOSFET)）を搭載
4．SiC-MOSの弱点といわれる短絡破壊に対し、装置の安全設計を実現する、業界トップクラスの短絡耐量
5．実使用時の高効率化を実現する、チップが高温時（150℃）でも変化の少ないオン抵抗特性
6．高周波駆動時のノイズに対し、誤動作に強い閾値の高いゲート特性（閾値電圧4.0V [Typ.]）
※1 はんだ接合で金属とチップを挟み込む構造に、 トランスファーモールド工法を組み合わせたパッケージ技術。
接続するためにワイヤボンディング技術を使用しないことで、 長期信頼性の向上と小型化を実現。
※2 パワーサイクル耐量 同社従来比約3倍（従来パッケージとTechno Block技術採用パッケージ比）
