インテグラ初の100V RF GaN製品となるIGN1011S3600は、次世代の航空電子システム向けに70%の効率で3.6キロワットという画期的な出力性能を実現
米カリフォルニア州エルセグンド--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 安全性とネットワーク接続を向上させた世界の実現に貢献する革新的なRF／マイクロ波パワーソリューションを提供する一流企業であるインテグラは本日、レーダー、航空電子機器、電子戦、産業、科学、医療システムなどの幅広いアプリケーションを対象とした業界初の100V RF GaN/SiC技術を発表しました。100Vで動作する本技術は、単一のGaNトランジスターで3.6キロワット（kW）の出力を実現することで、RFパワー性能の壁を打ち破ります。インテグラの100V GaNにより、設計者は、より一般的な50V/65V GaNと比較して少ない電力合成回路でシステムアーキテクチャーを簡素化しながら、システムの出力レベルと機能を劇的に向上させることができます。お客さまにとっては最終的に、システムのフットプリントが小さくなり、システムコストが削減できるという利点があります。
インテグラの社長兼最高経営責任者（CEO）を務めるスジャ・ラムナスは、次のように述べています。｢インテグラの100V RF GaN技術は、高出力市場において重要な節目となる成果です。この革新的な技術は、現在のシステム性能を制限している障壁を取り除き、これまで不可能であった新しいアーキテクチャーを実現します。この革新的な技術により、当社のお客さまが設計サイクルタイムと製品コストを削減しながら、数キロワットの高性能な新世代RFパワーソリューションを提供できるようになるものと大いに期待しています。」
航空宇宙・防衛分野のレーダーシステム設計者でテクノロジーエグゼクティブのマヘシュ・クマール博士は、次のように述べています。｢Integraが市場に初投入する100V RF GaN技術は、高出力RFシステムの可能性を完全に塗り替えるものです。50VのGaNトランジスターと比較して約2倍の出力を単一のパッケージで提供することにより、かなりの数の合成器と関連する電子回路を排除し、システムの容積・重量・コストの削減とシステム効率の向上をもたらします。」
インテグラ初の100V RF GaN製品は、特に航空電子機器アプリケーション向けに設計したIGN1011S3600となります。IGN1011S3600は、業界をリードする3.6kWの出力を19dBの利得および70%の効率で実現します。インテグラの100V RF GaNを基盤とするIGN1011S3600は、サイズ、重量、出力、コスト（SWAP-C）の改善を必要とするプログラムにとって、魅力的なソリューションです。IGN1011S3600 100V RF GaN/SiC は、適格なお客さまにサンプルを提供します。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
インテグラ・テクノロジーズについて
1997年に設立されたインテグラは、最先端のレーダー、電子戦、高度通信システムなどの基幹業務用アプリケーションで使用する高出力RF／マイクロ波の半導体とアンプパレットソリューションの革新に取り組む一流企業です。詳細情報についてはwww.integratech.comをご覧ください。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
Contacts
Angie Callau
Integra Technologies Inc
acallau@integratech.com
310-606-0855 x141
