～1200Vおよび650V耐圧製品をラインアップ～
川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、パワー半導体の新製品として、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減した第3世代 SiC MOSFET[注1][注2]を製品化しました。「TWxxxNxxxCシリーズ」10品種（1200V/650V耐圧）の出荷を本日から開始します。
新製品は、単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)Aを約43%削減[注3]しました。これにより、導通損失とスイッチング損失の関係を表す重要指標「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd」を約80%削減[注4]し、スイッチング損失を約20％削減[注5]しました。オン抵抗削減とスイッチング損失削減の両立を実現した当社第3世代 SiC MOSFETは、産業用機器のさらなる高効率化に貢献します。
今後も当社はパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充と生産設備の増強を進め、ユーザーがより使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、脱炭素社会の実現を目指します。
[注1] 当社第2世代SiC MOSFETで開発したショットキーバリアダイオードを内蔵した構造を用いて、単位面積あたりのオン抵抗(RDS(ON)A)を削減、さらにJFETの帰還容量を小さくするデバイス構造を開発。
[注2] MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属酸化膜半導体電界効果トランジスター）の略で、トランジスターの構造の一種。
[注3] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)Aを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注4] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)×Qgdを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注5] 当社第2世代SiC MOSFETと今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
応用機器
・スイッチング電源 (データセンターなどサーバー用、通信機器用など)
・EV充電スタンド
・太陽光発電用インバーター
・無停電電源装置 (UPS)
新製品の主な特長
・低い単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)A
・低いドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd
・低い順方向電圧 (ダイオード) : VDSF= －1.35V (typ.) @VGS= －5V
新製品の主な仕様 | |||||||||||
(特に指定のない限り、@Ta=25°C) | |||||||||||
品番 | パッケージ | 絶対最大定格 | 電気的特性 | 在庫検索 ＆ Web 少量購入 | |||||||
ドレイン･ ソース間 電圧 VDSS (V) | ゲート･ ソース間 電圧 VGSS (V) | ドレイン 電流 (DC) ID (A) | ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) typ. (mΩ) | ゲート しきい値 電圧 Vth (V) | ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) | ゲート・ ドレイン間 電荷量 Qgd typ. (nC) | 入力容量 Ciss typ. (pF) | 順方向 電圧 (ダイオード) VDSF typ. (V) | |||
@Tc=25°C | @VGS=18V | @VDS=10V | @VDS=400V、 f=100kHz | @VGS= －5V | |||||||
TO-247 | 1200 | －10～25 | 100 | 15 | 3.0～5.0 | 158 | 23 | 6000 | －1.35 | ||
60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | |||||||
40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | |||||||
36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | |||||||
20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | |||||||
TO-247 | 650 | －10～25 | 100 | 15 | 3.0～5.0 | 128 | 19 | 4850 | －1.35 | ||
58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | |||||||
40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | |||||||
30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | |||||||
20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | |||||||
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
1200V製品
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C
650V製品
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C
当社のSiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SiC パワーデバイス
SiC MOSFET
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