東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、令和三年度全国発明表彰（主催：公益社団法人発明協会）において、「半導体フラッシュメモリ長寿命化技術の発明」（特許第4461170号）が「発明賞」を受賞しました。全国発明表彰は、日本の科学技術の向上と産業の発展に寄与することを目的に、多大な功績を挙げた発明、考案、または意匠、あるいは、その優秀性から今後大きな功績を挙げることが期待される発明等を表彰するものです。
受賞内容
発明賞
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受賞した発明の概要
SSDで利用されているフラッシュメモリの長寿命化に関する本発明は、データセンターや大容量・高信頼性のストレージへのニーズが高まるフラッシュメモリを搭載したSSD製品への応用が期待できるものです。
各メモリセルにおけるデータの消去回数を平準化する従来のウェアレベリング技術と異なり、フラッシュメモリの寿命が消去の間隔に影響を受けることに着目し、消去の時期が古い領域を選択してデータを書き込むことで、特定領域に対する負荷を防ぎ、各メモリセルに対して一定の消去間隔を確保します。さらに、書き込みから時間が経過した領域のデータを書き換えが起こりにくい性質のデータ（Coldデータ）と判断し、相対的に消去回数が進んだ空き領域に移動し、特定の領域に、短期間に書き換えが集中することを防ぎます。
本発明は、関東地方における優秀な発明に対して贈呈される令和二年度関東地方発明表彰においても、「発明奨励賞」を受賞しました。また、全国発明表彰において今回の当社の受賞は、令和二年度全国発明表彰の最高賞である「恩賜発明賞」に続くものです。
当社は今後も、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、世界の人々に価値をもたらす研究・技術開発を続けていきます。
Contacts
本資料に関するお問い合わせ先：
キオクシアホールディングス株式会社
広報部
山路 航太
Tel: 03-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com
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