1.5〜3.2 kWのTETシリーズはGaNベースのデータセンター電源の急拡大する機会に対応
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアでグローバルサプライヤーのトランスフォーム（OTCQB：TGAN）とベル・グループ企業のベル・パワー・ソシューションズ（NASDAQ: BELFA、BELFB）は本日、ベルのチタン効率電源6種がトランスフォームの高電圧GaN FETを使用していると発表しました。このニュースは、データセンターサーバー、ルーター、ネットワークスイッチに導入されている高性能ワイドバンドギャップ電源ユニット（PSU）の拡大傾向を示しています。
6種のGaNベースのTETシリーズPSUは、AC-DCフロントエンド電源です。これには、AC-DCブリッジレストーテムポール力率補正（PFC）パワーステージでGaNを使用してチタン効率を達成する業界初のAC-DC電源であるTET3000シリーズが含まれます。このシリーズは、より高出力に対するお客さまの関心に基づいて、ファームウエアを改善した同じ回路を使用して、TET3200シリーズとなりました。残る4種のTETシリーズは、電力レベルが1.5〜2.5 kWの範囲にあり、標準1Uまたは共通冗長化電源（CRPS）ラックマウントフォームファクターでパッケージ化されています。ファミリー全体が、メイン出力12 VDCのハイラインで96%超の効率を実現し、これらのPSUは80 Plus Titaniumの評価を獲得しています。
GaN：データセンターの電源に革命を起こす
窒化ガリウム電力変換器は、電力アプリケーションにおいてシリコン（Si）と比較して基本的な優位性をもたらします。具体的には、トランスフォームのGaN FETは、AC-DC PFCステージの効率を99%以上に向上させ、従って電力密度を高め（同じフォームファクターでより大きな電力）、FIT が1.0未満という公表フィールド信頼性でシステム全体のコストを削減することが証明済みです。
これらの利点の結果として、GaNパワートランジスターの使用は今後数年間で急速に拡大すると予想されます。実際、オムディアによる最近の予測によれば、データセンター向け電源に使用されるGaNパワートランジスターの全体的な年平均成長率（CAGR）は2019年から2024年にかけて66.5%になります。
ベルの事業開発マネジャーを務めるイアン・ワーナー氏は、次のように述べています。「私たちの伝統は、大規模データセンターと協力し、最先端技術を活用して最高の成績を実現することで、お客さまが使用する広範なアプリケーションに役立つ一連のターゲット電源ソリューションを生み出しています。私たちはもう6年以上にわたりトランスフォームのGaNを使用して設計してきました。これまでに達成できた効率性と信頼性は、比類のないソリューションでもってお客さまの期待を超えるTETファミリーの電源を産み出すことに役立ちました。私たちはデータセンターの潜在力を変えようとしており、トランスフォームはこの取り組みに貢献してくれています。」
GaNの力を活用したTETシリーズファミリー
トランスフォームのGaNは、下記の通り、ベルのチタン効率フロントエンドAC-DC電源ファミリーを構成する数種のTETシリーズで利用できます。
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トランスフォームの世界技術マーケティング・北米販売担当バイスプレジデントを務めるフィリップ・ズクは、次のように述べています。「高電圧GaNは過去数年間にわたり業界をいい意味で根本的に変えてきました。次はデータセンター市場の番です。トランスフォームの技術は、多様なアプリケーションで10kW超の性能が証明済みです。当社デバイスのコストは、世代ごとに低下してシリコンに近づいています。また、当社は品質と信頼性に関して業界基準を打ち立てました。この分野で当社に勝るものはなく、当社のGaNデバイスはデータセンターソリューション向けに最適な選択肢となっています。」
ベルについて
ベル（www.belfuse.com）は、電子回路に電力を供給し、電子回路を保護・接続するための多様な製品を設計・製造・販売しています。これらの製品は、主にネットワーキング、電気通信、コンピューティング、軍事および航空宇宙、運輸、放送の業界で使用されています。ベルの製品グループには、磁気ソリューション（統合型コネクターモジュール、電源トランス、電源インダクター、ディスクリートコンポーネント）、パワーソリューション＆プロテクション（フロントエンド、ボードマウント、産業用電源製品、モジュール製品、回路保護）、接続ソリューション（拡張ビーム光ファイバー、銅ベース、RF／RJコネクター、ケーブルアセンブリー）が含まれます。当社は世界中で施設を運営しています。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）で当社をフォローしてください。
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