高信頼性アプリケーション用高圧GaN HEMTを低電流の15 Aおよび30 A版で提供

米カリフォルニア州ミルピタス--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ)-- Teledyne e2v HiRelは、GaN Systemsの技術に基づいた業界をリードする650ボルトの大電力製品ファミリーに新たに2種類のラギダイズGaNパワーHEMT(高電子移動度トランジスタ)を追加します。



この2種類の新しい大電力HEMT(TDG650E30BTDG650E15B)は、それぞれ30アンペアと15アンペアの低電流性能を提供し、昨年発売されたオリジナルの650ボルト製品のTDG650E60は60アンペアに対応しています。

これらの650ボルトGaN HEMT製品は、市場で入手できる最高圧のGaNパワーデバイスであり、要求水準の高い高信頼性の軍事・航空電子・宇宙用途に対応しています。これらの製品は、電力供給、モーター制御、ハーフブリッジ・トポロジーのような用途に適しています。

底面冷却構成で提供され、超低FOM Island Technology®ダイ、低インダクタンスGaNPX®パッケージ、超高周波スイッチング(100 MHz超)、制御可能立ち上がり・立ち下がり時間、逆電流機能などが特徴です。

Teledyne e2v HiRelの事業開発担当VPのMont Taylorは、このように語っています。「当社は、宇宙などの最高度の信頼性が要求される用途に向けて650 Vファミリーの大電力GaN HEMTの拡充を進めることができ、うれしく思います。このような新たなデバイスの小型パッケージは、電力密度が最高度のプロジェクトのために設計を行っているお客さまに真のメリットを提供します。」

TDG650E15BとTDG650E30Bは、どちらもエンハンスメント・モードのGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタで、大電流、高圧ブレークダウン、高スイッチング周波数に対応し、大電力用途で非常に低いジャンクション・ケース間熱抵抗を提供します。

窒化ガリウム・デバイスは、その他の業界で電力変換に大変革を引き起こしており、現在入手可能な耐放射線性樹脂封止パッケージは、ミッションクリティカルな成功を確保するために信頼性と電気特性の厳格な検査が行われています。GaN HEMTの今回の新製品により、お客さまには、航空宇宙・防衛の中心的電力用途で必要とされる効率、サイズ、電力密度の利点が提供されます。

すべての製品ラインにおいて、Teledyne e2v HiRelは、信頼性が最高度の用途のために調整された要求度の高い認定と検査を行っています。パワーデバイスの場合、これには硫酸検査、高高度シミュレーション、ダイナミック・バーンイン、ステップ・ストレス(最大雰囲気温度175°C、ゲート電圧9ボルト)、完全温度検査が含まれます。シリコンカーバイド(SiC)デバイスと異なり、新製品の2つのデバイスは、並列で実装することで容易に負荷電流を引き上げたり、実効RDSonを引き下げたりすることができます。

新デバイスはどちらも既に、注文と即時購入を受け付けています。

Teledyne e2v HiRelについて

Teledyne e2v HiRelの技術革新は、宇宙、交通、防衛、産業市場での開発を先導しています。Teledyne e2v HiRelの独自のアプローチには、市場や顧客応用上の課題に耳を傾けることや、顧客のパートナーとして革新的な標準品、セミカスタマイズ、フルカスタマイズのソリューションを提供して顧客のシステムの価値を高めることが含まれます。詳細情報については、www.teledynedefelec.comをご覧ください。

GaN Systemsについて

GaN Systemsは、GaNパワー半導体の世界的リーダー企業であり、今日の最も要求水準の高い業界のニーズに独自の形で対応するトランジスタを最大規模で用意しています。対応業界には、データセンター・サーバー、再生可能エネルギー・システム、自動車、産業用モーター、民生用エレクトロニクスが含まれます。市場をリードする革新的企業として、GaN Systemsは、小型で低コストで効率の高いパワーシステムの設計を可能にしています。賞も得ている当社の製品は、従来のシリコンの限界に制約されないシステム設計の機会を提供します。トランジスタ性能の標準を書き換えることで、GaN Systemsは電力変換企業が自社の産業に大変革をもたらして世界を変容させることを可能にしています。詳細情報についてはwww.gansystems.comをご覧いただくか、フェイスブック、ツイッター、リンクトインでGaN Systemsのフォローをお願いします。

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記事名:「Teledyne e2v HiRelが650 Vファミリーの大電力GaN HEMT製品2種類を発表