東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド(SiC)を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」を製品化し、本日から出荷を開始します。




新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン(Si)MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。


新製品は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザイン[注1]を採用しており、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しました。

1200V耐圧Si絶縁ゲート型バイポーラートランジスター(IGBT) の当社従来製品「GT40QR21」と比べて[注2]、ターンオフスイッチング損失を約80%、スイッチング時間(下降時間)を約70%低減するとともに、20A以下のドレイン電流で低オン電圧特性を有しています。


また、ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。


産業機器向け大容量AC-DCコンバーター、太陽光インバーター、大容量双方向DC-DCコンバーターなど電力機器の高効率化(電力損失低減)と小型化に貢献します。


[注1]当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」(2020年7月30日)

[注2]周囲温度25℃


応用機器



  • 大容量AC-DCコンバーター


  • 太陽光インバーター


  • 大容量双方向DC-DCコンバーター


新製品の主な特長



  • 第2世代 チップデザイン(SiC SBD内蔵)


  • 高耐圧、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低オン抵抗、低順方向電圧(ダイオード)、高ゲートしきい値電圧:


  VDSS=1200V、Ciss=1680pF(typ.)、Qg=67nC(typ.)、RDS(ON)=70mΩ(typ.)、VDSF=-1.35V(typ.)、Vth=4.2~5.8V



  • 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ


新製品の主な仕様


































(特に指定のない限り、@Ta=25℃)



品番



パッケージ



絶対最大定格



電気的特性



在庫検索&Web少量購入



ドレイン・



ソース間



電圧



VDSS



(V)



ドレイン



電流



(DC)



ID



@Tc=25℃



(A)



ドレイン・



ソース間



オン抵抗



RDS(ON)



typ.



@VGS=20V



(mΩ)



ゲート



しきい値電圧



Vth



@VDS=10V、



ID=20mA



(V)



ゲート



入力



電荷量



Qg



typ.



(nC)



入力容量 Ciss



typ. (pF)



順方向



電圧



(ダイオード)



VDSF



typ.



@IDR=10A、



VGS=-5V



(V)



TW070J120B



TO-3P(N)



1200



36.0



70



4.2~5.8



67



1680



-1.35



Buy Online



新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

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当社、SiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。

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情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝:電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について