~テクノフロンティアに出展~

愛知県清須市--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 豊田合成株式会社(本社:愛知県清須市、社長:宮﨑 直樹)は、青色LEDの主材料である窒化ガリウム(GaN)を用いて開発している「縦型GaNパワー半導体」で業界トップクラスの大電流化を実現※1しました。



パワー半導体は、電子機器の電源やアダプタなどの電力変換器※2で幅広く使われていますが、従来のシリコン製では、材料の性質上、「高耐圧」※3と「低損失」※4(低い導通損失・スイッチング損失)の二つの性能を高い次元で両立することが困難でした。

当社は、材料として高耐圧・低損失な「GaN」を使用することに加え、構造として電流を基板に対して垂直方向に流す「縦型」を採用することで、「業界トップクラスの大電流化」(1チップで50A以上)や「高周波動作」(数メガヘルツ)を実現、以下のような様々な用途への適用を目指します。

 

〔活用が期待される領域(事例)〕

電力変換器
「小型・軽量化」「高効率化」

  自動車などのPCU
DC-DCコンバータ

高周波電源
「高出力化」

  ワイヤレス給電
 

今後は更なる信頼性の向上を図り、半導体・電機メーカーなどとも協業し、実用化に向け開発を進めていきます。

なお当社は4月18日(水)~20日(金)に幕張メッセ(千葉市)で開催される電子部品の技術展「テクノフロンティア2018」に出展し、パワートランジスタ(MOSFET)※5とショットキーバリアダイオード※6を紹介するほか、これらの縦型GaNパワー半導体を世界で初めて搭載したDC-DCコンバータを実演します。

ブース場所     ホール6     6F-11
 
※1   当社調べ (2018年4月現在)
※2 電力変換とは、直流と交流の変換、直流の変圧、交流の周波数変換などのこと。
※3 電力変換時にかかる高電圧に耐えて、オフ動作の時に電流を流さない性質(絶縁性)を保つこと。
※4 通電時やオン/オフの切り替え時の電気抵抗により発生する熱損失が少ないこと。
※5 電流のオン/オフに用いる半導体。
MOSFETは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)の略。
※6 整流に用いる半導体。当社ではダイオードのチップ表面に一定間隔で溝構造を形成する
「トレンチMOS構造」の採用により、高温での低漏れ電流動作を実現。


Contacts

〔本件に関するお問い合わせ先〕
豊田合成(株)
総務部 広報室
浅倉正二郎、阿部貴知
Tel. 052-400-1452

情報提供元:
記事名:「豊田合成、「縦型GaNパワー半導体」で業界トップクラスの大電流化を実現