SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されています。データセンターのサーバー用電源、新エネルギーの分散型電源に加え、近年は鉄道車両のインバータモジュールや電気自動車用急速充電スタンドでも採用が進み、2020年までのSiCパワーデバイス市場は年率27％と大きな伸びが見込まれています（注2）。
高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBD（注3）とMOSFET（注4）が搭載されていますが、現状はSiC-SBDの量産化が先行し、SiC-MOSFETの実用化には欠陥の低減が課題となっていました。当社が開発したHGEは、代表的な結晶欠陥である基底面転位（注5）を0.1個/cm2以下に抑えたエピウェハーです。2015年10月の販売開始以降、国内外のデバイスメーカーから高い評価を受け、SiC-SBD用途に加え、SiC-MOSFETの実用化に向けた採用も進んでいます。HGEの生産体制は現在フル稼働が続いており、来年以降SiC－MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから、今回の能力増強を決定しました。
SiCパワー半導体は車載での早期実用化も検討されており、SiCエピウェハーの市場規模は2020年に200億円規模に拡大すると予想されます（注6）。当社は今後も市場の高品質化要求に応え、省エネルギー化に貢献してまいります。
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（注1）1200V耐圧用デバイス仕様での換算
（注2）富士経済「2017年版 次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」
（注3）ショットキーバリアダイオード（Schottky Barrier Diode）
（注4）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。
駆動時の電力ロスが小さく、高速スイッチングを行う論理回路に適している。
（注5）基底面転位…SiC単結晶の基底面に発生する転位
（注6）当社推定
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