~最新世代プロセスを採用し、低オン抵抗と安全動作領域の拡大を実現~

川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) --東芝デバイス&ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用電源ラインのスイッチング回路、ホットスワップ回路[注1]など向けに、最新世代プロセス「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」を製品化し、本日から出荷を開始します。






新製品は、ドレイン・ソース間オン抵抗を業界トップクラス[注2]の最大3.1mΩ(VGS=10V)に抑え、従来品の100V耐圧製品「TPH3R70APL」と比べて、約16%低減[注2]しました。また、最新世代プロセス採用により、従来品に対して安全動作領域を76%[注3]拡大し、過渡動作領域での使用にも適しています。オン抵抗の低減と過渡動作領域での動作範囲を拡大することで、並列接続する員数を減らすことができます。さらに、ゲートしきい値電圧範囲を2.5~3.5Vに設定しており、ゲート電圧のノイズによる誤動作を起こりにくくしています。

パッケージは、フットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。


当社は今後も、システムの高効率や、信頼性の向上、安定稼働に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進します。


応用機器



  • データセンターや通信基地局などの産業機器用電源


  • 高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源


新製品の主な特長



  • 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 : RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V)


  • 安全動作領域が広い


  • チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C


[注1] 機器が稼働した状態での回路基板やケーブルの抜き挿し(ホットスワップ)に対応した回路

[注2] 2023年6月現在、当社調べ。

[注3] パルス幅tw=10ms、VDS=48V

































新製品の主な仕様


(特に指定のない限り、Ta=25°C)


品番


TPH3R10AQM


絶対最大定格


ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)


100


ドレイン電流 (DC) ID (A)


Tc=25°C


120


チャネル温度 Tch (°C)


175


電気的特性


ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)


max (mΩ)


VGS=10V


3.1


VGS=6V


6.0


ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)


83


ゲートスイッチ電荷量 Qsw typ. (nC)


32


出力電荷量 Qoss typ. (nC)


88


入力容量 Ciss typ. (pF)


5180


パッケージ


名称


SOP Advance(N)


サイズ typ. (mm)


4.9×6.1


在庫検索 & Web少量購入


Buy Online


新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

TPH3R10AQM


当社のMOSFET製品については下記ページをご覧ください。

MOSFET


オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。

TPH3R10AQM

Buy Online


* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

* 本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。

予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


Contacts


お客様からの製品に関するお問い合わせ先

パワーデバイス営業推進部

Tel: 044-548-2216

お問い合わせ


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社

デジタルマーケティング部

長沢 千秋

e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝:機器の小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について