~最新世代プロセスを採用した「U-MOS X-Hシリーズ」発売~

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売しました。1月から量産・出荷を開始しています。





新製品は、当社の最新世代プロセス[注1]を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」初の製品です。低抵抗パッケージのTO-220SM(W)に搭載することにより業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現しました。最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品「TK160F10N1L」と比べて約20%低減しました。これにより機器の低消費電力化に貢献します。さらに、MOS構造の最適化によりスイッチングノイズが少なく、機器のEMI[注3]の低減に貢献できます。また、しきい値電圧幅を1Vに抑え、並列使用時のスイッチング同期性を高めています。



応用機器

車載機器 (ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど)



新製品の主な特長

・当社の最新世代プロセス[注1] を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」

・業界トップクラス[注2]の低オン抵抗

  RDS(ON)=1.92mΩ (max) @VGS=10V

・AEC-Q101適合



新製品の主な仕様





































(@Ta=25°C)



品番



極性



絶対最大定格



ドレイン・ソース間



オン抵抗



RDS(ON) max



(mΩ)



チャネル・



ケース間



過渡熱



インピーダンス



Zth(ch-c)



max



(℃/W)



パッケージ



シリーズ



ドレイン・



ソース間



電圧



VDSS



(V)



ドレイン



電流



(DC)



ID



(A)



ドレイン



電流



(パルス)



IDP



(A)



チャネル



温度



Tch



(℃)



@VGS



=6V



@VGS



=10V



XK1R9F10QB



Nチャネル



100



160



480



175



3.31



1.92



0.4



TO-220SM(W)



U-MOS X-H




[注1] 2020年2月25日時点

[注2] 同耐圧の製品、同一パッケージクラスにおいて。当社調べ (2020年2⽉25日時点) によるものです。

[注3] EMI (Electro Magnetic Interference): 電磁妨害



新製品の詳細については、下記ページをご覧ください。

XK1R9F10QB

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.XK1R9F10QB.html



当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/automotive/automotive-mosfet.html



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情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝:車載機器の低消費電力化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETについて